Vantaggio 1:Risparmio energetico
Vantaggio 2:Alta efficienza
Vantaggio 3:Affidabile
Sicurezza:Altezza
Frequenza:Frequenza media
Manutenzione:minimo
Frequenza:Frequenza media
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Vantaggi:Risparmio energetico
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Sicurezza:Altezza
Frequenza:Frequenza media
Velocità di fusione:Presto
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Frequenza:Frequenza media
Vantaggi:Risparmio energetico
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Manutenzione:minimo
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Manutenzione:minimo
Vantaggi:Risparmio energetico
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Velocità di fusione:Presto
Frequenza:Frequenza media
Frequenza:Frequenza media
Manutenzione:minimo
Vantaggi:Risparmio energetico
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
Vantaggi:Risparmio energetico
Frequenza:Frequenza media
Frequenza:Frequenza media
Sicurezza:Altezza
alimentazione elettrica:Transistor doppio delle cellule di IGBT
power supply :IGBT Dual Cell Transistor
frequency:Medium Frequency
melting speed :Quick